Transistores FET

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son utilizados en circuitos integrados, Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión (voltaje). Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:

• Por el terminal de control no se absorbe corriente.
• Una señal muy débil puede controlar el componente
• La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Los Transistores FET pueden ser de los siguientes tipos:

•  MOSFET (Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor, en español transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor)
• JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión)
• MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) 
• HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET)
• MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
• IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) 
• FREDFET  es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.
• DNAFET  es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales

 Primero hablaremos del MOSFET

 El MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.

¿En que se pude utilizar un MOSFET por sus Ventajas?

Existen dos tipos de Mosfet:

1. Empobrecimiento.
2. Enriquecimiento.

MOSFET  de  Empobrecimiento.

Sin Voltaje en la puerta (G) existe canal de conducción
nMOS

VGS = 0
IDS circula libremente.
VGS negativa (polarizacion inversa)
IBG actúa como barrera e IDS = 0.
VGS más negativa → IBG ↑ → IDS↓.
VGS positiva (polarizacion directa)
Camino libre para poder circular IDS.

 

 

 

 

 

MOSFET de enriquecimiento 

VG-S provoca la existencia o no de canal de conducción entre “D” y “S”.
VD-S proporciona la corriente IDS.

nMOS

VGS = 0
G = S = B = 0 → IDS = 0.
VGS positiva y mayor que VT
VT: tensión umbral. 

 A medida que VGS más positiva → anchura de canal mayor.

Los electrones libres se unen en las proximidades de SiO2 → se crea un canal de conducción entre “D” y “S” (Inversión superficial) → IDS en función de VDS.

Curvas de Transferencias

 

Mas VGS → Mas IDS → Se Destruye el transistor.

-----------------Corte----------Conducción--------------

nMOS:       VGS < VT           VGS > VT           VT: positiva

pMOS:       VGS > VT           VGS < VT           VT: negativa

pMOS voltajes y corrientes de signo contrario.

nMOS

 

VT = 0,40V nMOS (Saturación): VDS ≥ VGS - VT

V DS = 0,80 − 0,40 = 0,40V ( A)

V DS = 1,20 − 0,40 = 0,80V (B ) 

  

pMOS

 

 VT = − 0,4V pMOS (Saturación): VDS ≤ VGS - VT

VDS = − 1,00 − (− 0,40) = − 0,60V ( A)

VDS = − 1,20 − (− 0,40) = − 0,80V (B ) 

 

 

 Simbología